经分析，可见品芯片上的电源端口的金属化铝熔融，熔融的金属化铝喷射，整个金属化铝条已经完全脱离芯片。这是金属化铝条流过很大的电流，在金属化铝上产生欧姆热，热量在极短时间内达到铝熔融的温度，而此与金属化铝接触的芯片仍处于温度较低的状态，因此，由于巨大的温差，产生喷射。

在集成电路中，极短时间内金属化铝条上产生极大电流密度，显然是该端口引入了具有相当能量的浪涌电压，如雷电对电源的影响，或与其它更高电压的电源短路。

本案例是外部应力异常、外部应力远远超过样品所能承受的应力而发生的失效。在实际应用中，仅仅靠选取更大应力极限的产品来控制元器件的失效显然是不全面的。毕竞元器件的极限耐受能力是有限的，应充分了解电路中所可能遇到的极端外部应力情况，必要时设计（或加强）相应的保护电路。

某通讯系统故障，经分析诊断，定位到下图所示的集成电路失效所至。经分析发现，该集成电路Pin102端口过电击穿，端口连接的金属化铝条过流，图2-14中白色圈内有源区击穿，图2-14中红色圈内。

另外，在该机站同位置上使用的、后来又发生失效的另外1只集成电路也在Pin102端口过电击穿，且具有相同的电异常表现和异常物理表现，说明该集成电路Pin102所连接的线路上存在异常的电压(通常为浪涌电压)。

该案例说明:在元器件极限应力未退化至失效之前，外部的强应力(过大应力)常常导致样品失效，在这种情况下，必须依靠元器件外部的有效保护来控制这类失效。

元器件本身(通常指集成电路和组件)具有一定的保护功能，但由于元器件的体积，尤其是价格的限制，这种保护功能是有限的，不可能应付比较强的外部异常应力，因此，要求电路设计者充分掌握整机可能遇到的极端情况，在元器件外部加强必要的过应力保护装置，如采用瞬变二极管、压电陶瓷电阻等浪涌电压释放(吸收)电路。

元器件随着使用时间推移，其极限应力在退化，其中整流二极管的反向耐压(击穿电压)是典型的例子。

整流二极管通常采用台面结构，台面结的保护结构决定了整流二极管的反向耐压的稳定性，整流二极管工作过程中的反向电压使其台面保护退化，而外部应力超出台面保护的承受范围时发生击穿失效,尤其是整流输入的交流电源经常出现异常的脉冲电压，因此，退化的台面保护结构更容易发生击穿失效。

图2-15中可见，失效的二极管击穿部位发生在台面结处，这是电压击穿的明显特征，符合台面保护结构退化机理的失效特征。

从本案例可见，一方面，元器件的极限应力水平在退化，另方面，外部应力存在异常波动。因此，在设计上应充分考虑外部应力的异常情况，在选用元器件上，应考虑元器件极限应力的一致性，以防极限应力分布异常带来的“时段性”失效；另外，应评价元器件极限应力的退化，优选稳定的产品。

元器件的“寿命相关极限应力”(如最大工作电流、功率等)是一种极限应力，但这种应力没有明显的应力失效点，而往往于产品寿命相关，使用应力在产品的应力范围内，则产品的寿命指标是有效的，超出产品的应力指标，则使用寿命将明显缩短。

在民用产品中，由于造价的问题，临界的使用、甚至超额使用是常有的事，严重的时候，在整机工艺过程中就已经有失效的表现，有的则在产品使用一段时间后才陆续出现失效，视应力超额程度以及不同应力之间的相互影响有关。

所以，新型号的IGBT更容易出现过电流烧毁的问题。

在实际改进中，或采用更大电流能力的IGBT，或适当降低电磁炉的功率，即降低电磁炉的电流。

本案例可见，在选用新型号元器件的时候，不仅要关注产品的指标规范，还要关注两方面的问题，第一、新型号元器件那些指标参数有改变，这些改变的参数对整机产品的潜在影响；第二、还要关注产品内部结构是否也发生改变。通常情况下，新型号或同型号的产品在设计、内部结构、材料、以及工艺发生改变，其产品的规范上不提供相应改变的内容。但一旦内部结构发生改变，可能引起某些参数的实质性下降，但没有超出原来产品规范的规定。因此，新型号产品分析其内部的变化,这些变化对产品性能可能产生什么影响,尤其是对诸如最大电流、最大功率之类的“寿命相关极限应力”指标的影响，因为此类指标不是应力超过指标就烧毁，而是应力越强，产品寿命越短。如果产品在使用中已经临界甚至超指标使用，一旦新型号产品内部结构改变对这些指标有负面影响，显然，产品的失效率将显著增大。

另外，电路元器件失效还有跟整机装配工艺，比如：再流焊热变、室温过高、塑料封装IC、外部装配等引起机械应力影响有关，以及元器件固有机理有关，比如：如集成电路金属化铝条电迁移失效，静电放电损伤失效, CMOS集成电路的闩锁效应失效，多层陶瓷电容器低电压失效，银电极的银迁移失效等等。